过去几十年，半导体行业一直是全球经济战略的焦点。然而，在新冠疫情之后，全球半导体供应链的脆弱性得到了充分展示，让世界各国政府意识到国内半导体制造的地缘政治重要性。
为了应对这种情况，世界各国政府推出了大量激励措施来吸引半导体投资。与此同时，随着竞争的加剧，领先的半导体公司正在扩大生产能力，投资最先进的设施，并建立战略合作伙伴关系以保持领先地位。以下为近期半导体制造领域的重大投资动向概览。
SK海力士获美政府巨额补贴
本月，SK海力士与美国商务部 (DoC) 签署了一份不具约束力的初步条款备忘录，以确保根据《芯片和科学法案》获得高达4.5亿美元的直接资助和5亿美元贷款。
这笔资金将用于支持在印第安纳州西拉斐特开发先进的半导体封装设施，该项目于2024年4月宣布，总投资38.7亿美元。具体而言，该工厂将专门生产面向人工智能的存储器产品，重点关注先进的封装技术。SK海力士的西拉斐特生产基地将拥有一条下一代HBM内存封装生产线，预计于2028年下半年开始量产。
美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，随着这一消息的宣布，美国现在已获得全球五大领先半导体制造商的承诺，他们将在美国政府的财政援助下在美国建设芯片工厂。
SK海力士这座耗资38.7亿美元的工厂将封装高带宽存储器（HBM）芯片，供英伟达等AI芯片制造商使用。据美国商务部官员表示，SK海力士预计将从韩国向其美国工厂运送自己的存储芯片，该工厂预计将创造约1000个就业岗位，并将与普渡大学等当地机构合作进行半导体研发。除了拨款和贷款外，SK海力士预计将像其他在美国建厂的公司一样享受25%的税收抵免。
德州仪器的制造资金
与此同时，芯片制造商巨头德州仪器（TI）已获得美国商务部高达16亿美元的资金，用于支持德克萨斯州和犹他州三座300毫米半导体晶圆厂的建设，这些晶圆厂分别位于德克萨斯州谢尔曼（SM1、SM2）和犹他州莱希（LFAB2），旨在生产28nm至130nm技术节点的半导体。这笔资金将使TI能够完成基础建设阶段，包括为SM1和LFAB2晶圆厂建造洁净室和试验线，以及为SM2晶圆厂建造外壳。
这项投资预计将创造约2000个新岗位，并将获得额外的60至80亿美元的税收抵免和1000万美元的劳动力发展资金。
此举符合拜登政府加强国内半导体生产的更广泛战略。TI承诺到2029年投入180亿美元，计划到2030年将其内部制造能力提高到95%以上。然而，新工厂将生产关键的模拟和嵌入式处理芯片，这些芯片对于从智能手机到汽车的各种技术都至关重要。
50亿欧元补贴，台积电首座欧洲晶圆厂开建
8月20日，台积电首座欧洲12英寸晶圆厂举行动工典礼，欧盟委员提供50亿欧元援助。该厂位于德国德累斯顿，名为“欧洲半导体制造公司（ESMC）”。2023年8月，台积电宣布与博世、英飞凌、NXP合作，共同投资建立ESMC，其中台积电持股70%并负责运营，英飞凌、博世、NXP各持股10%，总投资额约100亿欧元。
该晶圆厂预计导入28/22nm平面互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，以及6/12nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程，规划初期的月产能约为4万片12英寸晶圆。根据计划建设时间表，该厂将于2024年第四季度动工，预计2026年第三季度设备进厂，最早于2027年第四季度开始量产。
与此同时，台积电也正斥巨资在美国和日本设立工厂，其目的可能是为了分散战争分线，因为台积电的存续足以严重影响世界经济。
NXP建设一座新晶圆厂
全球领先的半导体公司世界先进（VIS）和NXP在今年6月份宣布计划成立一家制造合资企业VisionPower Semiconductor Manufacturing Company Pte Ltd（VSMC），该公司将在新加坡建造一个新的300毫米半导体晶圆制造厂，合资工厂将支持130nm至40nm混合信号、电源管理和模拟产品，面向汽车、工业、消费和移动终端市场，计划将底层工艺技术从台积电授权并转让给合资企业。
合资公司将在获得所有必要的监管部门批准后，于2024年下半年开始建设晶圆厂的初始阶段，并于2027年向客户提供初始生产。合资公司将作为独立的商业代工厂供应商运营，为双方股权合作伙伴提供有保证的比例产能，预计2029年每月产量为55000片300毫米晶圆。另外，合资公司将在新加坡创造约1500个就业岗位，在初始阶段成功达产后，将考虑并开发第二阶段，具体取决于双方股权合作伙伴的承诺。
初期建设总成本预计为78亿美元，其中，VIS将注资24亿美元，占合资企业60%的股权，NXP将注资16亿美元，占剩余40%的股权。VIS和NXP已同意额外投入19亿美元，用于支持长期产能基础设施，其余资金（包括贷款）将由第三方向合资企业提供，该工厂将由VIS运营。
ST：世界首个一站式碳化硅产业园
2024年5月31日，意法半导体（ST）宣布将打造世界首个一站式碳化硅产业园。据介绍，这一新建项目坐落在意大利卡塔尼亚，是8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地，该产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型。
按照规划，该项目预计2026年运营投产，在2033年前达到全部产能，在全面落成后，晶圆产量可达1.5万片/周，这项计划属于多年长期投资，预计投资总额达50亿欧元，包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金。
ST表示意大利卡塔尼亚碳化硅产业园的建设将给ST带来完全垂直整合的碳化硅制造实力，为ST的SiC技术在未来几十年在汽车和工业市场保持领先地位作出巨大贡献，该项目带来的规模经济和协同效应将让ST能够更好地利用大规模制造能力进行技术创新，助力欧洲乃至全球客户加快电气化转型，寻求能效更高的解决方案，实现他们的低碳减排目标。
安森美：捷克建厂
今年6月，美国芯片制造商安森美宣布了一项高达20亿美元的投资计划，旨在提升其在捷克的半导体生产能力，进而扩大其在欧洲的制造规模。
据悉，新工厂预计将在2027年投产，这项投资将有助于捷克在欧盟半导体产业链中占据更关键的战略地位，并展示《欧洲芯片法案》对所有欧盟国家的利益。
捷克工业和贸易部表示，国家提供的援助可能占总投资的27.5%，并指出这些激励措施预计将在2025年第一季度获得批准，批准前需向欧盟委员会报告。
随着地缘政治因素继续影响供应链，企业和政府正在战略性地投资以减轻脆弱性并建立区域制造生态系统，这些发展标志着半导体生产格局向更加分散和可持续的方向转变，其中技术进步与区域稳定和经济增长密切相关。
